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TQM110NB04CR RLG /MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
TQM110NB04CR RLG的规格信息
TQM110NB04CR RLG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 54A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1352 pF @ 20 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 68W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank

Supplier Device Package8-PDFNU (5x6)

Package / Case8-PowerTDFN

供应商TQM110NB04CR RLG
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TQM110NB04CR RLG表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 40 V 12A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta),68W(Tc) 8-PDFNU(5x6)Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO435.15 Kbytes共7页TQM110NB04CR RLG的PDF下载地址
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